DDR4 寬溫 UDIMM VLP

特點

1U 系統專用的超矮版設計
通過全面測試，具最佳化穩定性和效能
採用原廠 IC，滿足嚴格業界標準
對抗嚴苛環境的抗硫化保護機制
JEDEC 標準 1.2V（1.26V ~ 1.14V）電壓
運作環境：-40°C ~ 95°C（Tc）
30μ” 金手指
符合 RoHS 標準且通過 CE / FCC 認證

為卓越效能而打造

DDR4 寬溫 UDIMM VLP 提供超矮版設計及業界最快的 3200MT/s 記憶體速度，是各類工業級和嵌入式應用的首選。模組符合所有 JEDEC 相關標準，可在 -40ºC 至 95°C（Tc）的溫度範圍正常運作，並提供 8GB、16GB 和 32GB 等容量，速度亦包含2133MT/s、2400MT/s、2666MT/s 及 2933MT/s 等選項。

VLP 系列模組特別適用於 1U 系統，例如系統高度不到 1.18 英吋的刀鋒伺服器資料中心。模組的超矮版設計可改善系統內部通風條件，有效降低高溫影響。

添加抗硫化保護層，確保模組安全無虞

硫在許多產業中都相當常見。當 DRAM 晶片內部的銀合金接觸硫化氣體時，即會發生腐蝕反應，進而可能造成導電性劣化、導致產品更快故障。為了避免此類憾事，宜鼎針對較易損壞的零件添加了抗硫化保護層，有效抵禦環境中的硫化影響。

Anti-Sulfuration >

第三方測試，確保強固可靠

強固耐用的元件，是滿足嚴苛環境需求不可或缺的要素。我們的解決方案通過第三方的嚴謹測試，經驗證可滿足嚴苛的業界標準，在極端條件下依然強固，確保在各種應用情境中維持可靠效能。

包裝落下測試	落下高度 76 公分 , ISTA-1A
冷熱衝擊測試	-40°C ~ 110°C, 500 次
軍用標準振動測試	振動頻率 10 Hz ~ 500 Hz MIL-STD-810G 514.7

針對您的特定需求量身打造

U 型強固技術

U 型強固技術（Side Fill）可強化晶片與電路板的連接部分，即使在劇烈振動或外力衝擊的環境中，仍可提供絕佳保護。

敷形塗層技術

敷形塗層技術（Conformal Coating）在 DRAM 印刷電路板上添加壓克力保護層，避免受到濕氣、灰塵和腐蝕性物質等有害元素所影響。

聯絡我們，了解您的需求

探索多元應用場景與成功實例

工業 / 嵌入式系統

專為極端環境所設計，我們的產品具備高耐用度，滿足工業自動化和嵌入式系統的需求。

規格表

Model Name	DDR4 Wide Temperature UDIMM VLP
DDR Generation	DDR4 Memory
DIMM Type	UDIMM VLP
Speed	2133 MT/s, 2400 MT/s, 2666 MT/s, 2933 MT/s, 3200 MT/s
Density	8GB, 16GB, 32GB
Function	Non-ECC Unbuffered Memory
Pin Number	288pin
Bus Width	x64
Voltage	1.2V
PCB Height	0.738 Inches
Operating Temperature	-40°C ~ 95°C (Tc)
30μ” Gold Finger	Y
Anti-Sulfuration	Y

產品料號

型號	IC 配置	Rank	溫度	簡介
M4U0-8GSSW5EM	512M x 8	2R x 8	-40°C ~ 95°C (Tc)	DDR4 3200 8GB Wide Temperature UDIMM VLP
M4U0-8GS1V5EM	1G x 8	1R x 8	-40°C ~ 95°C (Tc)	DDR4 3200 8GB Wide Temperature UDIMM VLP
M4U0-AGS1W5EM	1G x 8	2R x 8	-40°C ~ 95°C (Tc)	DDR4 3200 16GB Wide Temperature UDIMM VLP
M4U0-AGM1W5EM	1G x 8	R x 8	-40°C ~ 95°C (Tc)	DDR4 3200 16GB Wide Temperature UDIMM VLP
M4U0-BGS2W5EM	G x 8	2R x 8	-40°C ~ 95°C (Tc)	DDR4 3200 32GB Wide Temperature UDIMM VLP