DDR4 UDIMM VLP

特點

1U 系統專用的超矮版設計
通過全面測試，具最佳化穩定性和效能
採用原廠 IC，滿足嚴格業界標準
對抗嚴苛環境的抗硫化保護機制
JEDEC 標準 1.2V（1.26V ~ 1.14V）電壓
運作環境：0°C ~ 95°C（Tc）
符合 RoHS 標準
通過 CE / FCC 認證

為卓越效能而打造

DDR4 UDIMM VLP 搭配超矮版設計，提供業界最快的 3200MT/s 記憶體速度，完全相容於 Intel® Purely 平台及 1U 裝置。模組符合所有 JEDEC 相關標準，提供 4GB、8GB、16GB 和 32GB 等容量，速度亦包含 2133MT/s、2400MT/s、2666MT/s 及 2933MT/s 等選項。

VLP 系列模組特別適用於 1U 系統，例如系統高度不到 1.18 英吋的刀鋒伺服器資料中心。模組的超矮版設計可改善系統內部通風條件，有效降低高溫影響。

添加抗硫化保護層，確保模組安全無虞

硫在許多產業中都相當常見。當 DRAM 晶片內部的銀合金接觸硫化氣體時，即會發生腐蝕反應，進而可能造成導電性劣化、導致產品更快故障。為了避免此類憾事，宜鼎針對較易損壞的零件添加了抗硫化保護層，有效抵禦環境中的硫化影響。

Anti-Sulfuration >

第三方測試，確保強固可靠

強固耐用的元件，是滿足嚴苛環境需求不可或缺的要素。我們的解決方案通過第三方的嚴謹測試，經驗證可滿足嚴苛的業界標準，在極端條件下依然強固，確保在各種應用情境中維持可靠效能。

包裝落下測試	落下高度 76 公分 , ISTA-1A
冷熱衝擊測試	-40°C ~ 110°C, 500 次
軍用標準振動測試	振動頻率 10 Hz ~ 500 Hz MIL-STD-810G 514.7

針對您的特定需求量身打造

U 型強固技術

U 型強固技術（Side Fill）可強化晶片與電路板的連接部分，即使在劇烈振動或外力衝擊的環境中，仍可提供絕佳保護。

敷形塗層技術

敷形塗層技術（Conformal Coating）在 DRAM 印刷電路板上添加壓克力保護層，避免受到濕氣、灰塵和腐蝕性物質等有害元素所影響。

聯絡我們，了解您的需求

探索多元應用場景與成功實例

邊緣伺服器

專為邊緣運算設計，我們的解決方案能在嚴苛環境下確保穩定效能，支援邊緣設備的即時資料處理。

資料中心

作為現代運算的核心動力，我們的解決方案為資料密集型的運算提供高效能與可靠性。

網路通訊

專為高負載和不間斷運作的需求而設計，以確保關鍵通訊基礎設施的高效與穩定性能。

規格表

Model Name	DDR4 UDIMM VLP
DDR Generation	DDR4 Memory
DIMM Type	UDIMM VLP
Speed	2133 MT/s, 2400 MT/s, 2666 MT/s, 2933 MT/s, 3200 MT/s
Density	4GB, 8GB, 16GB, 32GB
Function	Non-ECC Unbuffered Memory
Pin Number	288pin
Bus Width	x64
Voltage	1.2V
PCB Height	0.738 Inches
Operating Temperature	0°C ~ 95°C (Tc)
Anti-Sulfuration	Y

產品料號

型號	IC 配置	Rank	溫度	簡介
M4U0-4GSSVCEM	512M x 8	1R x 8	0°C ~ 95°C (Tc)	DDR4 3200 4GB UDIMM VLP
M4U0-4GSX8CEM	512M x 16	1R x 16	0°C ~ 95°C (Tc)	DDR4 3200 4GB UDIMM VLP
M4U0-8GSSWCEM	512M x 8	2R x 8	0°C ~ 95°C (Tc)	DDR4 3200 8GB UDIMM VLP
M4U0-8GS1VCEM	1G x 8	1R x 8	0°C ~ 95°C (Tc)	DDR4 3200 8GB UDIMM VLP
M4U0-AGS1WCEM	1G x 8	2R x 8	0°C ~ 95°C (Tc)	DDR4 3200 16GB UDIMM VLP
M4U0-AGM1WCEM	1G x 8	2R x 8	0°C ~ 95°C (Tc)	DDR4 3200 16GB UDIMM VLP
M4U0-BGS2WCEM	2G x 8	2R x 8	0°C ~ 95°C (Tc)	DDR4 3200 32GB UDIMM VLP
M4U0-BGM2WCEM	2G x 8	2R x 8	0°C ~ 95°C (Tc)	DDR4 3200 32GB UDIMM VLP