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M.2 (S80) 3SE4

M.2

8GB ~ 64GB

M.2 (S80) 3SE4

特點

  • 專為工業領域打造的 SATA III 解決方案
  • 採用獨家 L³ 架構
  • 內建硬體 LDPC ECC 引擎
  • 無 DRAM,確保 100% 資料完整性
  • 卓越的隨機讀寫效能
  • 支援 TRIM / NCQ / S.M.A.R.T.
  • 支援 -40°C 至 85°C 的寬溫範圍 
為卓越效能而打造

宜鼎 M.2 (S80) 3SE4 採用 L³ 架構,搭載最新 SATA III(6.0GHz)Marvell NAND 控制器。宜鼎獨家的 L³ 架構整合 L² 架構與低密度奇偶檢查(LDPC)技術。L²(Long Life)架構採用 4K 映射演算法,可有效降低寫入放大值(WAF),並提供即時耗損平均技術(Wear Leveling),確保高效能、高穩定性,以及延長使用壽命。

M.2 (S80) 3SE4 專為工業級應用設計,支援多項標準功能,包括 TRIM、NCQ 及 S.M.A.R.T.。此外,宜鼎獨家的工業導向韌體,可提供高度彈性的客製化服務,使其成為各式工業應用的最佳選擇。 

Write Protect 防寫技術保護資料安全

透過宜鼎 SSD 內建的防寫技術,使用者能夠藉由唯讀功能,保護快閃磁碟裝置內部的關鍵資料,防止遭受數據竄改或惡意使用。


  Write Protect > 

垃圾資料回收與 TRIM 技術 — 最佳化 SSD 效能

垃圾資料回收(Garbage Collection)是將仍在使用的資料複製到新區塊,並清除舊區塊所有資料的過程。透過 TRIM 技術,可大幅減少垃圾資料回收所需的作業次數,從而降低 SSD 的無謂耗損,並延長使用壽命。 


  Garbage Collection and TRIM > 

iPower Guard 電源保護技術

iPower Guard 專為電源不穩定的環境所設計的預先防護機制,更進一步於電源啟動和關閉期間保護 SSD,防止因電力不穩而影響系統效能。


  iPower Guard > 

Wear Leveling 耗損平均技術,延長產品壽命

宜鼎採用創新的耗損平均技術,徹底革新 SSD 儲存方式,進而提升使用壽命。透過將此技術導入在動態與靜態儲存區塊,弭除傳統「熱區」和「冷區」的概念,達到 100% 全區耗損平衡,最佳化利用每個快閃記憶儲存區塊。

  Wear Leveling > 

探索多元應用場景與成功實例

工業 / 嵌入式系統
工業 / 嵌入式系統

專為極端環境所設計,我們的產品具備高耐用度,滿足工業自動化和嵌入式系統的需求。

規格表

Model NameM.2 (S80) 3SE4
Flash TypeSLC
InterfaceSATA III 6.0 Gb/s
Form FactorM.2 2280 B+M Key
Capacity8GB ~ 64GB
Sequential R / W (MB/sec, max.)520 / 360
P/E Cycle60,000
TBW (Max.)2,500
Storage Temperature-55°C ~ 95°C
Max. Power Consumption1.6W
Max. Channels2
External DRAM BufferN
FeatureH/W Write Protect, S.M.A.R.T.
Dimension (W x L x H/mm)22.0 x 80.0 x 2.2
Vibration20G@[7 ~ 2000Hz]
Shock[email protected]
MTBF>3 million hours
Warranty5 Years

產品料號

運作溫度

標準溫度

(0°C ~ 70°C)

工業級溫度

(-40°C ~ 85°C)

8GB

DEM28-08GM41SCADB

DEM28-08GM41SWADB

16GB

DEM28-16GM41SCADB

DEM28-16GM41SWADB

32GB

DEM28-32GM41SCADB

DEM28-32GM41SWADB

64GB

DEM28-64GM41SCADB

DEM28-64GM41SWADB

 

 

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