M.2
Ultra iSLC 解決方案
M.2 (S80) 3IE7
特點
- 提供高達 10 萬抹寫次數（P/E Cycle）、壽命延長 33 倍
- 採用宜鼎獨家 Ultra iSLC 技術
- 採用 BiCS5 112 層 3D TLC 快閃記憶體
- 支援 -40°C 至 85°C 的溫度範圍
- 提供 5 年保固與長穩供貨承諾
M.2 (S80) 3IE7 是一款基於 SATA III 6.0 Gb/s 並專為工業應用設計的快閃儲存裝置。搭載宜鼎獨家 Ultra iSLC 技術，提供高達 10 萬次的抹寫次數，大幅提升裝置效能。此外，內建的溫度感測器（Thermal Sensor） 、TRIM、NCQ 、 S.M.A.R.T. 等功能支援，以及可客製化的工業導向韌體，使其更加適用於各式工業情境。
Ultra iSLC 技術：10 萬次抹寫、壽命提升 33 倍
宜鼎新一代獨家 Ultra iSLC 技術，透過韌體技術突破，搭配 BiCS5 112 層 3D TLC 快閃記憶體，將 M.2 (S80) 3IE7 的抹寫次數（P/E Cycle）推升至 10 萬次，較傳統 3D TLC 快閃記憶體提升多達 33 倍的使用壽命。
iData Guard 資料保護技術
探索多元應用場景與成功實例
EMPOWERING TELECOM NETWORKS: OVERCOMING DATA OVERLOAD WITH iSLC TECHNOLOGY
In today's fast-evolving telecommunications landscape, the demand for intensive network transmissions has reached unprecedented levels. For leading telecommunications service providers, this rapid surge brings a series of intricate challenges that demand immediate attention.
規格表
| Model Name | M.2 (S80) 3IE7 |
|---|---|
| Flash Type | iSLC (3D TLC) |
| Interface | SATA III 6.0 Gb/s |
| Form Factor | M.2 2280 B+M Key |
| Capacity | 20GB ~ 640GB |
| Sequential R / W (MB/sec, max.) | 560 / 500 |
| P/E Cycle | 30,000 / 100,000 |
| TBW (Max.) | 40,000 |
| Storage Temperature | -40°C ~ 85°C |
| Max. Power Consumption | 1.6W |
| Max. Channels | 4 |
| External DRAM Buffer | N |
| Feature | AES, H/W Write Protect, S.M.A.R.T. |
| Dimension (W x L x H/mm) | 22.0 x 80.0 x 3.5 |
| Vibration | 20G@[7 ~ 2000Hz] |
| Shock | [email protected] |
| MTBF | >3 million hours |
| Warranty | 5 Years |
產品料號
運作溫度 | 標準溫度 (0°C ~ 70°C) | 工業級溫度 (-40°C ~ 85°C) |
20GB | DHM28-20GDK1EC*DF | DHM28-20GDK1EW*DF |
40GB | DHM28-40GDK1%C*&F | DHM28-40GDK1%W*&F |
80GB | DHM28-80GDK1%C*QF | DHM28-80GDK1%W*QF |
160GB | DHM28-A60DK1%C*QF | DHM28-A60DK1%W*QF |
320GB | DHM28-D2GDK1%CAQF | DHM28-D2GDK1%WAQF |
640GB | DHM28-F4GDK1KCAQF | DHM28-F4GDK1KWAQF |
%. E : 64 layers 3D TLC / K : 112 layers 3D TLC
*. PCB version control
&. S : 1 channel / D : 2 channels / Q : 4 channels
