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DDR4 寬溫 RDIMM VLP

DDR4

ECC 暫存記憶體

DDR4 寬溫 RDIMM VLP

特點

  • 內建暫存器以加強時脈、指令及控制訊號
  • ECC DIMM 內建錯誤修正和偵測功能
  • 通過全面測試,具最佳化穩定性和效能
  • 採用原廠 IC,滿足嚴格業界標準
  • 對抗嚴苛環境的抗硫化保護機制
  • JEDEC 標準 1.2V(1.26V ~ 1.14V)電壓
  • 運作環境:-40°C ~ 95°C(Tc)
  • 符合 RoHS 標準,通過 CE / FCC 認證
為卓越效能而打造

DDR4 寬溫 RDIMM VLP 採用超矮版設計,提供業界最快的 3200MT/s 記憶體速度,完全相容於 Intel® Purely 平台及 1U 裝置。此模組搭載 30μ”金手指,內建單位元糾錯功能及暫存器,可加強時脈、指令及控制訊號。模組符合所有 JEDEC 相關標準,可在 -40ºC 至 95°C(Tc)的溫度範圍正常運作。

VLP 系列模組特別適用於 1U 系統,例如系統高度不到 1.18 英吋的刀鋒伺服器資料中心。模組的超矮版設計可改善系統內部通風條件,有效降低高溫影響。

錯誤更正碼(ECC)功能,可偵測及修正資料儲存及傳輸過程中個別位元的錯誤。ECC 模組採用漢明碼或三重模組冗餘,以進行錯誤偵測及修正,可自行管理糾錯,無須要求資料源重新發送原始資料。

添加抗硫化保護層,確保模組安全無虞

硫在許多產業中都相當常見。當 DRAM 晶片內部的銀合金接觸硫化氣體時,即會發生腐蝕反應,進而可能造成導電性劣化、導致產品更快故障。為了避免此類憾事,宜鼎針對較易損壞的零件添加了抗硫化保護層,有效抵禦環境中的硫化影響。


  Anti-Sulfuration >  

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專為高負載和不間斷運作的需求而設計,以確保關鍵通訊基礎設施的高效與穩定性能。

規格表

Model NameDDR4 Wide Temperature RDIMM VLP
DDR GenerationDDR4 Memory
DIMM TypeRDIMM VLP
Speed2133 MT/s, 2400 MT/s, 2666 MT/s, 2933 MT/s, 3200 MT/s
Density4GB, 8GB, 16GB, 32GB
FunctionRegistered Memory with ECC
Pin Number288pin
Bus Widthx72
Voltage1.2V
PCB Height0.738 Inches
Operating Temperature-40°C ~ 95°C (Tc)
30μ” Gold FingerY
Anti-SulfurationY
Notice4GB is only for 2133MT/s and 2400MT/s

產品料號

型號

IC 配置

Rank

溫度

簡介

M4R0-4GSSC5EM

512M x 8

1R x 8

-40°C ~ 95°C (Tc)

DDR4 3200 4GB Wide Temperature RDIMM VLP

M4R0-8GSSD5EM

512M x 8

2R x 8

-40°C ~ 95°C (Tc)

DDR4 3200 8GB Wide Temperature RDIMM VLP

M4R0-8GS1C5EM

1G x 8

1R x 8

-40°C ~ 95°C (Tc)

DDR4 3200 8GB Wide Temperature RDIMM VLP

M4R0-AGS1D5EM

1G x 8

2R x 8

-40°C ~ 95°C (Tc)

DDR4 3200 16GB Wide Temperature RDIMM VLP

M4R0-AGS2C5EM

2G x 8

1R x 8

-40°C ~ 95°C (Tc)

DDR4 3200 16GB Wide Temperature RDIMM VLP

M4R0-BGS2D5EM

2G x 8

2R x 8

-40°C ~ 95°C (Tc)

DDR4 3200 32GB Wide Temperature RDIMM VLP


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