
DDR4
ECC 暫存記憶體
DDR4 寬溫 RDIMM VLP
特點
- 內建暫存器以加強時脈、指令及控制訊號
- ECC DIMM 內建錯誤修正和偵測功能
- 通過全面測試,具最佳化穩定性和效能
- 採用原廠 IC,滿足嚴格業界標準
- 對抗嚴苛環境的抗硫化保護機制
- JEDEC 標準 1.2V(1.26V ~ 1.14V)電壓
- 運作環境:-40°C ~ 95°C(Tc)
- 符合 RoHS 標準,通過 CE / FCC 認證
DDR4 寬溫 RDIMM VLP 採用超矮版設計,提供業界最快的 3200MT/s 記憶體速度,完全相容於 Intel® Purely 平台及 1U 裝置。此模組搭載 30μ”金手指,內建單位元糾錯功能及暫存器,可加強時脈、指令及控制訊號。模組符合所有 JEDEC 相關標準,可在 -40ºC 至 95°C(Tc)的溫度範圍正常運作。
VLP 系列模組特別適用於 1U 系統,例如系統高度不到 1.18 英吋的刀鋒伺服器資料中心。模組的超矮版設計可改善系統內部通風條件,有效降低高溫影響。
錯誤更正碼(ECC)功能,可偵測及修正資料儲存及傳輸過程中個別位元的錯誤。ECC 模組採用漢明碼或三重模組冗餘,以進行錯誤偵測及修正,可自行管理糾錯,無須要求資料源重新發送原始資料。
添加抗硫化保護層,確保模組安全無虞
硫在許多產業中都相當常見。當 DRAM 晶片內部的銀合金接觸硫化氣體時,即會發生腐蝕反應,進而可能造成導電性劣化、導致產品更快故障。為了避免此類憾事,宜鼎針對較易損壞的零件添加了抗硫化保護層,有效抵禦環境中的硫化影響。

針對您的特定需求量身打造
U 型強固技術
U 型強固技術(Side Fill)可強化晶片與電路板的連接部分,即使在劇烈振動或外力衝擊的環境中,仍可提供絕佳保護。

敷形塗層技術
敷形塗層技術(Conformal Coating)在 DRAM 印刷電路板上添加壓克力保護層,避免受到濕氣、灰塵和腐蝕性物質等有害元素所影響。

探索多元應用場景與成功實例
規格表
Model Name | DDR4 Wide Temperature RDIMM VLP |
---|---|
DDR Generation | DDR4 Memory |
DIMM Type | RDIMM VLP |
Speed | 2133 MT/s, 2400 MT/s, 2666 MT/s, 2933 MT/s, 3200 MT/s |
Density | 4GB, 8GB, 16GB, 32GB |
Function | Registered Memory with ECC |
Pin Number | 288pin |
Bus Width | x72 |
Voltage | 1.2V |
PCB Height | 0.738 Inches |
Operating Temperature | -40°C ~ 95°C (Tc) |
30μ” Gold Finger | Y |
Anti-Sulfuration | Y |
Notice | 4GB is only for 2133MT/s and 2400MT/s |
產品料號
型號 | IC 配置 | Rank | 溫度 | 簡介 |
M4R0-4GSSC5EM | 512M x 8 | 1R x 8 | -40°C ~ 95°C (Tc) | DDR4 3200 4GB Wide Temperature RDIMM VLP |
M4R0-8GSSD5EM | 512M x 8 | 2R x 8 | -40°C ~ 95°C (Tc) | DDR4 3200 8GB Wide Temperature RDIMM VLP |
M4R0-8GS1C5EM | 1G x 8 | 1R x 8 | -40°C ~ 95°C (Tc) | DDR4 3200 8GB Wide Temperature RDIMM VLP |
M4R0-AGS1D5EM | 1G x 8 | 2R x 8 | -40°C ~ 95°C (Tc) | DDR4 3200 16GB Wide Temperature RDIMM VLP |
M4R0-AGS2C5EM | 2G x 8 | 1R x 8 | -40°C ~ 95°C (Tc) | DDR4 3200 16GB Wide Temperature RDIMM VLP |
M4R0-BGS2D5EM | 2G x 8 | 2R x 8 | -40°C ~ 95°C (Tc) | DDR4 3200 32GB Wide Temperature RDIMM VLP |
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