DDR4
ECC 無緩衝記憶體
DDR4 ECC SODIMM VLP
特點
- 1U 系統專用的超矮版設計
- ECC DIMM 內建錯誤修正和偵測功能
- 通過全面測試，具最佳化穩定性和效能
- 採用原廠 IC，滿足嚴格業界標準
- 對抗嚴苛環境的抗硫化保護機制
- JEDEC 標準 1.2V（1.26V ~ 1.14V）電壓
- 運作環境：0°C ~ 95°C（Tc）
- 30μ”金手指，符合 RoHS 標準且通過 CE / FCC 認證
DDR4 ECC SODIMM VLP 是一款超矮版的緊湊記憶體模組，提供業界最快的 3200MT/s 記憶體速度，相容於 Intel® Purely 平台及 1U 裝置。此模組搭載 30μ”金手指，內建單位元糾錯功能，專為網路及伺服器應用所設計。模組提供 4GB 及 8GB 容量，速度亦包含2133MT/s、2400MT/s、2666MT/s 和 2933MT/s 等選項。
VLP 系列模組特別適用於 1U 系統，例如系統高度不到 1.18 英吋的刀鋒伺服器資料中心。模組的超矮版設計可改善系統內部通風條件，有效降低高溫影響。
錯誤更正碼（ECC）功能，可偵測及修正資料儲存及傳輸過程中個別位元的錯誤。ECC 模組採用漢明碼或三重模組冗餘，以進行錯誤偵測及修正，可自行管理糾錯，無須要求資料源重新發送原始資料。
添加抗硫化保護層，確保模組安全無虞
硫在許多產業中都相當常見。當 DRAM 晶片內部的銀合金接觸硫化氣體時，即會發生腐蝕反應，進而可能造成導電性劣化、導致產品更快故障。為了避免此類憾事，宜鼎針對較易損壞的零件添加了抗硫化保護層，有效抵禦環境中的硫化影響。
第三方測試，確保強固可靠
強固耐用的元件，是滿足嚴苛環境需求不可或缺的要素。我們的解決方案通過第三方的嚴謹測試，經驗證可滿足嚴苛的業界標準，在極端條件下依然強固，確保在各種應用情境中維持可靠效能。
| 包裝落下測試 | 落下高度 76 公分, ISTA-1A |
| 冷熱衝擊測試 | -40°C ~ 110°C, 500 次 |
| 軍用標準振動測試 | 振動頻率 10 Hz ~ 500 Hz, MIL-STD-810G 514.7 |
針對您的特定需求量身打造
U 型強固技術
U 型強固技術（Side Fill）可強化晶片與電路板的連接部分，即使在劇烈振動或外力衝擊的環境中，仍可提供絕佳保護。
敷形塗層技術
敷形塗層技術（Conformal Coating）在 DRAM 印刷電路板上添加壓克力保護層，避免受到濕氣、灰塵和腐蝕性物質等有害元素所影響。
探索多元應用場景與成功實例
邊緣伺服器
專為邊緣運算設計，我們的解決方案能在嚴苛環境下確保穩定效能，支援邊緣設備的即時資料處理。
資料中心
作為現代運算的核心動力，我們的解決方案為資料密集型的運算提供高效能與可靠性。
網路通訊
我們的解決方案能在高負載下提供可靠不間斷的穩定效能，成為網路與通訊基礎建設的最強奧援。
規格表
| Model Name | DDR4 ECC SODIMM VLP |
|---|---|
| DDR Generation | DDR4 Memory |
| DIMM Type | ECC SODIMM VLP |
| Speed | 2133 MT/s, 2400 MT/s, 2666 MT/s, 2933 MT/s, 3200 MT/s |
| Density | 4GB, 8GB |
| Function | ECC Unbuffered Memory |
| Pin Number | 260pin |
| Bus Width | x72 |
| Voltage | 1.2V |
| PCB Height | 0.7 Inches |
| Operating Temperature | 0°C ~ 95°C (Tc) |
| 30μ” Gold Finger | Y |
| Anti-Sulfuration | Y |
產品料號
型號 | IC 配置 | Rank | 溫度 | 簡介 |
M4D0-4GSSICEM | 512M x 8 | 1R x 8 | 0°C ~ 95°C (Tc) | DDR4 3200 4GB ECC SODIMM VLP |
M4D0-8GS1ICEM | 1G x 8 | 1R x 8 | 0°C ~ 95°C (Tc) | DDR4 3200 8GB ECC SODIMM VLP |
*Please contact Innodisk for products with other speeds.
